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Oana COJOCARU-MIREDIN

Précipitation du Bore dans le Silicium implanté et redistribution du Bore et Platine lors de l’interdiffusion réactive dans le film mince Nickel-Silicium

par LABGPM - publié le , mis à jour le

20 novembre 2009

Ce travail de thèse est constitué de deux grandes parties. Dans la première partie, nous avons étudié la redistribution du bore dans le silicium (001), à l’ambiante et après recuit thermique, à l’aide de la sonde atomique tomographique (SAT), la microcopie électronique en transmission (MET) et la spectrométrie de masse d’ions secondaires (SIMS). Pour cette étude, le silicium a été fortement implanté en bore. La concentration en B dans le Si peut alors dépasser la limite de solubilité. On est donc dans le cas d’un système sursaturé. Dans ce cas, nous avons observé qu’à la formation de défauts (BIC’s, défauts 113 etc...) s’ajoute la germination d’amas riches en B ou même la précipitation d’une nouvelle phase après recuit thermique. Dans la deuxième partie, nous avons étudié la redistribution du B et du Pt dans le NiSi, utilisé lors de la miniaturisation des transistors MOS, afin de réduire la résistance de contact. A part l’accumulation du bore à l’interface NiSi/Si et à la surface de NiSi, nous avons observé, la précipitation du bore dans le monosiliciure de nickel, pour un recuit à 450°C. En revanche, pour le platine nous n’observons plus un phénomène de précipitation. Il a plutôt tendance de ségréger aux interfaces à 290°C (observation du phénomène de "chasse-neige "), tandis qu’au delà de 350°C, le Pt s’accumule majoritairement dans la phase NiSi.
Précipitation du Bore dans le Silicium implanté et redistribution du Bore et Platine lors de l’interdiffusion réactive dans le film mince Nickel-Silicium