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Ali ALAEDDINE - Vendredi 4 février 2011

Le Transistor Bipolaire à Hétérojonction Si/SiGe sous contraintes électromagnétiques : des dégradations électriques à l’analyse structurale

par LABGPM - publié le , mis à jour le

Vendredi 4 février 2011 à 10h en ampli D - UFR des Sciences

sur le sujet : Le Transistor Bipolaire à Hétérojonction Si/SiGe sous contraintes électromagnétiques : des dégradations électriques à l’analyse structurale

Composition du Jury :

Marise Bafleur, DR CNRS-LAAS Toulouse (Rapporteur)
Nathalie Labat, PR IMS-Univ. Bordeaux I (Rapporteur)
Didier Blavette, GPM Univ. Rouen
Belahcène Mazari, CESI Rouen
Philippe Eudeline, Thalès Air Systems, Ymares (Invité)
Geneviève Duchamp, IMS-Univ. Bordeaux I (Invitée)
Moncef Kadi, IRSEEM-ESIGELEC, Co-Directeur de thèse
Kaouther Daoud, GPM Univ. Rouen, Directrice de thèse