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Ali ALAEDDINE

Le Transistor Bipolaire à Hétérojonction Si-SiGe sous contraintes électromagnétiques : des dégradations électriques à l’analyse structurale

par LABGPM - publié le

4 Février 2011

Le Transistor Bipolaire à Hétérojonction Si-SiGe sous contraintes électromagnétiques : des dégradations électriques à l’analyse structurale