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Wanghua Chen - Jeudi 17 Novembre

Modeling the growth of Si nanowires and atomic scale metrology of Si nanowire

par LABGPM - publié le

Wanghua Chen soutiendra sa thèse le Jeudi 17 Novembre à 14h.

Titre de la thèse : Modeling the growth of Si nanowires and atomic scale metrology of Si nanowire

Le Jury sera composé de :

  • M. Daniel Bouchier Professeur des Universités – IEF, France Rapporteur
  • M. Guido Schmitz Professeur des Universités – IMP, Allemagne Rapporteur
  • M. Pere Roca i Cabarrocas Professeur des Universités – LPICM, France
  • M. Vladimir Dubrovskii Professeur des Universités – Ioffe Institute, Russie
  • M. Philippe Pareige Professeur des Universités – GPM, France Directeur
  • M. Bruno Grandidier Directeur de Recherche CNRS – IEMN, France Co-directeur
  • M. Rodrigue Lardé Maître de Conférences – GPM, France Encadrant