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Patrick Denis - 24 septembre 2013

Mécanismes et origines de défaillance de diodes Schottky en carbure de silicium soumises à contraintes thermiques et électrostatiques

par LABGPM - publié le

Patrick Denis soutiendra sa thèse le mardi 24 Septembre à 10h00 en salle de conférences sur le sujet ’Mécanismes et origines de défaillance de diodes Schottky en carbure de silicium soumises à contraintes thermiques et électrostatiques.’