Groupe de Physique des Matériaux - UMR CNRS 6634

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Pascal DHERBECOURT

limites en performances et la fiabilité des systèmes de communication couplée à l’analyse physique des défaillances des composants électroniques de puissance.

par LABGPM - publié le

Pascal Dherbecourt soutiendra son HDR le Vendredi 5 Septembre 2014 à 10h.

Le sujet porte sur les limites en performances et la fiabilité des systèmes de communication couplée à l’analyse physique des défaillances des composants électroniques de puissance.

Jury :

  • Jean Pierre LANDESMAN, Professeur des Universités, Directeur Institut de Physique de Rennes - UMR CNRS 6251, Président
  • Christophe GAQUIERE, Professeur des Universités, Université de LILLE IEMN UMR CNRS 8520, Rapporteur
  • Jean Louis IZBICKI, Professeur des Universités, Université du Havre LOMC UMR CNRS 6294, Rapporteur
  • Raymond QUERE, Professeur des Universités, Université de Limoges XLIM UMR CNRS 7252, Rapporteur
  • Bruno ALLARD, Professeur des Universités, INSA Lyon AMPERE UMR CNRS 5005, Examinateur
  • Philippe EUDELINE, Ingénieur de Recherche, Professeur Associé Université Rouen Directeur Technique THALES Air Systems, Examinateur

Olivier LATRY, Maître de Conférences HDR, Université de Rouen GPM UMR CNRS 6634, Examinateur

  • Philippe PAREIGE, Professeur des Universités, Université de Rouen, Directeur GPM UMR CNRS 6634, Examinateur

Résumé : La microélectronique appliquée aux composants de puissance est sujette à une intégration sans cesse croissante. Les problèmes de fiabilité des composants et des systèmes se posent alors au regard des densités de puissance atteintes et des champs électriques intenses appliqués. Des technologies de transistors de puissance à base de Silicium sont matures, mais leur fiabilité ne peut être garantie en contions opérationnelles de fonctionnement sévères. Par ailleurs l’emploi de composants à base de technologies grand gap comme le SiC ou le GaN pose un problème de fiabilité et robustesse. Les travaux présentés suivent une démarche cohérente visant à une connaissance physique complète du composant d’étude. Puis une phase de vieillissement accéléré est mise en œuvre de manière à déclencher des mécanismes de défaillances détectés par des mesures électriques appropriées. La recherche des zones de défaillance exige le développement d’outils de localisation de défauts du type microscope à émission de photons PEM ou OBIRCh. Enfin une analyse structurale en microscopie électronique MEB ou TEM, ou par sonde atomique tomographique SAT permet une connaissance physico-chimique précise et localisée du défaut. Des modèles électriques et physiques viendront confirmer ces analyses.