Groupe de Physique des Matériaux - UMR CNRS 6634

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Accueil > Recherche > Nanostructures, Nanosciences, Nanotechnologies > Défaillance Electronique et Fiabilité (ERDEFI) > Thèmes de Recherche

Thèmes de Recherche

Défauts et réréactions d’interfaces dans les Transistors Bipolaires à Hétérojonction (TBH) Si-SiGe soumis à des contraintes électromagnétiques.

Les contacts métalliques sur semiconducteurs sont d’une importance capitale dans le maintien des performances d’un composant microélectronique, lorsqu’il est en fonctionnement et soumis à diverses (...)

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Composants de puissance SiC pour des applications haute température des systèmes mécatroniques

Les travaux menés portent sur la fiabilité et l’analyse physique des défaillances des composants à semi-conducteurs large bande SiC pour des applications mécatroniques. L’enjeu d’intérêt mondial est (...)

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Etude des transistors à haute mobilité électronique (HEMT) à base de Nitrure de Gallium (GaN).

Les transistors à effet de champ à base de matériau à grand gap comme le nitrure de gallium (3,4eV) sont très prometteurs pour l’amplification radiofréquence de puissance. Ce gap élevé se traduit par (...)

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